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1. 分辨率:高真空(二次电子)1.0nm at 30kV(背散射电子): 2.0 nm at 30 kV
低真空(低真空二次电子)﹕1.5 nm at 30 kV
2.放大倍数:1 to 1000000x
3.真空系统:电子枪真空<3*10 -7Pa
样品室/低真空7-500Pa
4.加速电压0.2kV to 30Kv
5.电子束电流2pA—200nA
6.内部直径: 340mm
接口数: 20+
7.样品台行程:（5轴马达控制）
X=130mm——马达控制
Y=130mm——马达控制
Z=100mm——马达控制
R=360°连续--马达控制
T=-80°至+90°--马达控制
最大样品高度145mm.
