与此同时，在金瑞泓微电子（衢州）有限公司的车间里，12英寸硅晶圆的生产线正在紧张安装调试。12英寸硅晶圆是当前制备芯片的基础，其全球生产长期垄断在少数几家外国企业手中。杨德仁带领团队和企业开展产学研合作，自主开发了制备微量掺氮、微量掺锗、重掺磷等12英寸硅晶圆技术，目前即将实现产业化。他说：“能够自己生产12英寸硅晶圆，我们在芯片产业国际竞赛中才有底气。”
硅材料，半个多世纪以来始终是微电子科技和产业飞速发展的基石，杨德仁在这一领域耕耘了30多年，研究成果两次获得国家自然科学奖。“硅储量丰富、环境友好、制备成本低……在可预见的未来，硅仍将是微电子发展不可或缺的基础。在硅材料上率先取得新的突破，将推动我们在微电子领域的一些关键方面赶超世界先进水平。”杨德仁说。
在杨德仁看来，我国硅材料基础研究已经能与国际先进水平平等对话，但走出实验室，硅材料创新成果的产业化程度相比发达国家还存在明显差距。“必须坚持走自主创新之路，形成自己的核心竞争优势。”他说，中国在硅材料的另一个重要应用领域——太阳能光伏上已经取得了世界级的成功，相信通过进一步科学布局、集聚资源、激活人才……我们在硅基微电子技术上也会不断有新作为。
